石墨烯作為由sp2雜化的碳原子鍵合而成的二維原子晶體，其獨特的能帶結構和優良的電學、熱學和力學性質一直吸引著人們的廣泛關注，并有望在未來的半導體工業中得到實際應用.然而，高質量石墨烯的大規模可控制備仍然存在著諸多挑戰性的問題，也是石墨烯工業化應用的瓶頸所在.化學氣相沉積(CVD)技術在大面積生長高質量石墨烯方面擁有獨特的優勢，已成為石墨烯生長領域的主流技術.我們近年來一直致力于發展石墨烯的CVD生長方法，通過對表面催化生長的基元步驟的設計與控制，實現了對石墨烯的結構和層數的有效調控，并形成了CVD生長的過程工程學指導思想.本文從對石墨烯的CVD生長機理的分析入手，系統介紹了我們開展的過程工程學研究，并對該領域的未來發展趨勢以及所面臨的機遇和挑戰進行了簡要的展望.

　　1、引言

　　人類文明和科學技術的進步常常建立在新材料的發現和材料獲取手段的提升之上.從古代的金屬、陶瓷到現代的高分子科學，從硅基半導體工業到光纖通訊，從超導材料到新能源技術，都是這方面的典型例證.石墨烯作為材料科學領域一顆耀眼的新星，或許在不遠的將來，也會扮演這種推動人類文明和社會進步的發動機的角色.

　　單層石墨烯是由sp2雜化的碳原子所鍵合而成的具有六邊形蜂窩狀晶格結構的二維原子晶體.作為構建所有以sp2雜化碳為骨架的材料的基本單元，其理論研究已開展了超過60年，并被廣泛用作描述碳材料的模型體系.然而獨立存在的石墨烯一直僅停留在人們的想象之中.直至2004年，英國曼徹斯特大學的A.Geim和K.Novoselov等人通過使用膠帶反復剝離石墨的簡單方法第一次得到了獨立存在的石墨烯.這也是從科學意義上第一次獲得單原子層的二維原子晶體.隨后人們發現，石墨烯擁有眾多其他材料難以比擬的獨特性質.例如，本征石墨烯作為高度結晶性的零帶隙半導體，其導帶和價帶在狄拉克點處重合，具有雙極性的電場效應.在狄拉克點附近，電子具有無質量的狄拉克費米子行為，能量與動量滿足線性色散關系，載流子在室溫下表現出亞微米級的彈道輸運特性和超高的遷移率，使得石墨烯可以應用于高頻場效應晶體管中，成為繼碳納米管之后又一個有望在未來半導體工業中得到廣泛應用的電子學材料.石墨烯由于其獨特電子結構，在室溫下即可觀察到量子霍爾效應的存在，并可以作為研究量子電動力學的絕佳模型材料.另外，石墨烯優異的導電性和透光性使其在透明導電薄膜、柔性電子學器件以及薄膜光伏器件研究領域備受關注；而其良好的導熱性和超高機械強度也可作為復合材料的重要成分.正是由于石墨烯是如此特別、性能如此優異的新材料，從被發現以來的短短數年之間，其價值已得到廣泛認可.而它的兩位發現者也在2010年獲得了諾貝爾物理學獎.

　　自2004年以來，石墨烯的性質和應用研究已取得長足進步，與之相應的石墨烯制備技術也在快速發展中.如何大批量地制備高質量的石墨烯，不僅是材料學家和化學家努力的方向，同時也是所有石墨烯研究者們共同關注的基本問題.歸根結底，材料制備的難易程度和成本決定著其未來的發展潛力.迄今為止，人們已經發展了諸如機械剝離法、液相剝離法、石墨氧化物還原法、單晶金屬或碳化硅表面外延法及化學氣相沉積法等各種制備方法.這些方法優勢各異，適用于各種不同的用途.例如，機械剝離法制備的石墨烯質量很高，但效率低，因此適用于研究本征石墨烯的物理和化學性質.液相剝離法和石墨氧化物還原法適用于對石墨烯具有大批量需求的領域，但質量往往不高.單晶金屬或碳化硅表面外延方法可以獲得大面積高質量的石墨烯，但是成本昂貴，對于實驗設備的要求也較高.與上述方法相比，采用化學氣相沉積(CVD)方法在金屬催化劑基底上可以得到大面積連續的石墨烯薄膜，所用的多晶基底相比于單晶基底更為廉價易得，同時生長出的石墨烯薄膜的轉移也相對簡單，目前來看是大規模制備高質量石墨烯的最有希望的方法之一.通過CVD生長方法已經獲得大面積(最大面積可達30英寸)、高質量(載流子遷移率達16000cm2V1s1)、層數可控[、帶隙可調的石墨烯薄膜材料.這種生長方法以其便捷易操作且可控性高、能與下一步石墨烯的轉移與應用緊密結合的優點，已經成為石墨烯生長領域的主流方法.石墨烯在金屬催化劑表面的CVD生長是一個復雜的多相催化反應體系.該過程主要涉及如下幾個基元步驟:

　　(1)烴類碳源在金屬催化劑基底上的吸附與分解；

　　(2)表面碳原子向催化劑體相內的溶解以及在體相中的擴散.某些情況下，溶解碳會與金屬生成碳化物；

　　(3)降溫過程中碳原子從催化劑體相向表面的析出；

　　(4)碳原子在催化劑表面的成核及二維重構，生成石墨烯(見圖1).

在金屬催化劑的作用下，氣態烴類前驅體在基底表面分解.CVD生長石墨烯最常用的烴類氣體碳源是甲烷.在100Pa(0.001atm)到105Pa(1atm)的壓強范圍內，甲烷通常在1100℃或更高的溫度發生熱解.其他常見的前驅體如乙烯和乙炔等具有更低的分解溫度.由于表面碳濃度高于體相，此濃度梯度會促使一部分表面分解產生的碳原子在高溫下向金屬內部擴散，并和金屬形成具有不同結構的合金.在降溫過程中，碳在金屬中溶解度下降，碳原子的濃度高于形成合金的濃度時，高溫時溶入金屬中的碳便以石墨的形式析出到金屬表面，并優先在晶界、臺階等缺陷位處成核進而形成石墨烯(或石墨).除去擴散進入金屬體相的碳原子，碳源分解生成的部分碳原子會在金屬表面直接形成石墨烯.這是一個表面催化的過程，對于溶碳量較低的金屬(如Cu)，其上石墨烯的生長主要遵循這種機理.顯而易見，在通常的CVD生長過程中，同時存在著兩個石墨烯生成路徑.一個是“直接生長路徑”，催化裂解出來的碳原子直接在金屬表面成核、鋪展形成石墨烯薄膜；另一個是“迂回生長路徑”，催化裂解的表面碳原子經體相溶解后，再析出至表面，成核生長形成石墨烯薄膜.兩個平行生長路徑的貢獻，取決于金屬催化劑的溶碳能力、金屬碳化物的生成及其在生長溫度下的化學穩定性.也就是說，金屬催化劑是決定石墨烯生長的關鍵要素之一.除了碳溶解度和金屬碳化物因素之外，金屬催化劑的催化活性、晶面取向、與石墨烯的晶格失配度和鍵合強度、熔點以及化學穩定性等都會影響生成石墨烯的質量和結構.目前已報道的石墨烯生長催化劑都集中在周期表中的IB和VIIIB區(Os除外)，研究最多、性能最好的催化劑是Cu和Ni.此外，在石墨結構形成的過程中，如果沒有催化劑的存在，大面積的石墨結構只有在反應溫度超過2500℃時才會形成.這一溫度需要特殊設計的沉積系統和基底才能實現，并消耗大量的能量，而一個合格的催化劑基底不僅降低了前驅體熱解的能壘，也降低了石墨結構形成的溫度.因此選擇適合的催化劑具有十分重要的作用.

　　圖1 化學氣相沉積生長石墨烯的基元步驟.(1)碳源在催化劑表面的吸附；(2)碳源脫附回到氣相；(3)碳源的脫氫分解；(4)碳原子在表面的遷移；(5)碳原子在表面(優先在臺階等缺陷位處)直接成核并生長石墨烯；(6)碳原子在高溫下溶入金屬體相；(7)碳原子在金屬體相內的擴散；(8)降溫過程中碳原子從體相析出，并在表面成核生長石墨烯

　　由以上的分析可見，在CVD生長石墨烯的過程中，對于反應條件(如溫度、壓力、氣體流量、升降溫速率等)和金屬催化劑的改變，實際上就是對于單一或多個基元過程(如碳源分解、碳的溶解與析出、石墨烯的成核與生長等)的改變.而每一個基元步驟的改變，又將影響后續生長的石墨烯的各方面的性質(如結晶性、疇區大小、厚度、均勻性、晶體取向等).以此為出發點，我們提出了過程工程學的概念.其基本思想是，在CVD生長石墨烯的過程中，對于單一基元步驟進行有設計性和針對性的干預或控制，從而獲得具有不同特性、符合不同要求的石墨烯，實現對石墨烯層數、疇區尺寸、帶隙、摻雜元素和濃度、與其他二維材料的面內或面間雜化以及表面形貌的控制.我們進一步提出了互補性二元合金催化劑的設計思想，利用各種金屬的物理化學特性的差異，通過合金的設計實現功能互補，以有效調控基元步驟的進行.基于過程工程學的思想，我們發展了互補性二元合金催化劑法[19]、偏析生長法[20，21]和共偏析法、褶皺工程法以及范德華外延法[18]等一系列CVD生長方法，成功實現了嚴格單層石墨烯、大面積少層石墨烯、單雙層可控石墨烯、氮摻雜石墨烯、周期性褶皺石墨烯、以及AB堆垛雙層石墨烯的控制生長.本文將以這些成果為實例，系統闡述我們在石墨烯控制生長中的過程工程學實踐.

　　圖8(a)利用范德華外延在銅箔上生長AB堆垛的雙層石墨烯(結構如右上角所示)的示意圖.碳源在左側銅箔分解形成的碳自由基或碎片隨氣流到達下游銅箔處并進行外延生長.(b)外延生長60min的石墨烯的光學照片，淺顏色和深顏色的區域分別為單層和雙層覆蓋的位置.2層以上的位置用白色箭頭標出.(c)測量石墨烯輸運性質的雙柵場效應晶體管的示意圖.(d)石墨烯面電阻R與背柵電壓VBG、頂柵電壓VTG的關系，其中R的數值大小以不同顏色標示.測量在真空中進行，并加熱至200oC.(e)VBG固定為不同值時R隨VTG的變化關系.VBG在70~100V之間，每次增大10V

　　結論與展望

　　石墨烯研究是目前材料學、物理學以及其他相關學科領域最為活躍的分支之一.而CVD生長作為“自下而上”大批量獲得高質量石墨烯的最有希望的方法，對于它的研究在近年來一直呈現著迅速發展的趨勢.然而，時至今日，關于石墨烯的多相催化生長過程，仍然有諸多基本的科學問題有待更為深入的認識.而對于石墨烯生長過程的精確調控，往往就建立在對這些基本問題的理解與認識上.本文介紹了我們基于對影響石墨烯生長的基本因素的思考，提出的化學氣相沉積生長的過程工程學的思想.在此基礎上，著力于實現在生長過程中對于基元步驟的有效調控.通過調節反應過程中碳的析出、碳的來源、基底形貌、碳源分解等各種基元步驟和基本因素，發展了包括互補性二元合金法、偏析和共偏析法、褶皺工程法以及范德華外延法在內的一系列石墨烯控制生長方法.并對于如石墨烯層數和均勻性的控制、石墨烯能帶結構的調控等目前石墨烯生長研究中所共同關注的問題提出了相應的解決方案.

　　石墨烯的生長，從早期的超高真空體系中單晶表面的外延，已經擴展到目前在低壓或常壓體系中多晶金屬基底甚至是非金屬基底上的生長，并伴隨著對于低生長溫度、大疇區、大尺寸、層數均勻可控、無轉移、圖形化、層內或層間的摻雜或雜化等一系列目標的追求.而對于生長機理的研究，也從初期的較為宏觀、粗糙、唯象的理解漸漸向原子尺度觀測、原位實時觀測、發展理論與計算模并與實驗相結合等更為觀、更為精細的方向發展.如果能在生長過程中對于基元步驟進行有效的控制，顯然可以更有目的性地實現生長所追求的目標，并且能夠降低機理研究的復雜性.而隨著研究的深入，未來石墨烯的生長也必將從最初的嘗試性、經驗性居多的研究方式轉變為在一定的理論指導下對反應進程及影響因素進行設計與控制的形式.這也符合科學技術從初始到成熟，從依賴自然到探索自然、進而到改造自然的發展規律.而與其他諸如催化化學、有機化學、高分子科學、凝聚態物理學等領域的交叉與借鑒也將為石墨烯的生長注入新的活力，并為之提供嶄新的思路和富有啟發性的觀點.

　　關于石墨烯生長的研究方興未艾，其中面臨的眾多科學與技術上的問題，對于廣大科研工作者來說，既是機遇，也是挑戰.隨著認識的不斷深入，隨著制備方法和表征手段的不斷進步，這些難題將會被一一破解，相信到那時，石墨烯出現在我們方方面面的生活中將不再是一個遙遠的夢想.