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輔助離子束功率密度對透明塑料上室溫磁控濺射沉積ITO薄膜結構和形貌的影響
基于雙極脈沖磁控濺射復合離子束輔助沉積的新工藝,在透明塑料聚碳酸酯基片上,常溫制備了透明導電的銦錫氧化物(ITO)薄膜.重點研究了不同輔助離子束功率密度對ITO薄膜晶體結構和表面形貌的影響。
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射頻磁控濺射法ZnO薄膜制備工藝的優化
在采用射頻磁控濺射在Si 和玻璃襯底上制備單層ZnO 薄膜時,薄膜會受到濺射功率、襯底溫度、氧氬比以及工作氣壓等的影響。本文中將詳細討論這些因素對ZnO薄膜晶體質量,應力以及光學性能的影響。
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氧分壓對直流磁控濺射IGZO薄膜特性的影響
本文采用直流磁控濺射技術,在室溫下通過改變氧分壓的工藝條件制備了IGZO 薄膜,系統性的分析了氧分壓對薄膜的物相結構、表面形貌、元素結合能及電學與光學等特性的影響。
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沉積溫度對磁控濺射制備V-Al-Si-N硬質涂層結構及性能的影響
本文利用磁控濺射的方法通過改變基片溫度制備了不同沉積溫度的V-Al-Si-N涂層,并利用X射線衍射(XRD) 、掃描電鏡(SEM) 、納米壓痕儀和摩擦磨損試驗機對涂層的結構及性能進行了分析。
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偏壓對磁控濺射制備Ni摻雜TiB2基涂層結構及力學性能的影響
本文采用中頻和射頻電源的雙靶磁控濺射設備通過改變基片偏壓制備了不同偏壓的TiB2-Ni涂層。對所制備的涂層進行了結構和性能的研究,探討了偏壓對其生長結構,以及硬度、斷裂韌性、膜基結合力和摩擦學等方面的性能。
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高溫鋁液中TiAlN硬鍍層失效機理研究
本文以H13鋼基體上的磁控濺射TiAlN鍍層為研究對象,通過鍍層在高溫鋁液中長時間浸蝕后對表面、截面形貌變化和成分分析等途徑,探討硬質鍍層在高溫鋁液中的失效機理。
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復合高功率脈沖磁控濺射放電等離子體特性
本文采用脈沖與直流電源并聯模式的復合HIPIMS,針對Ti、Cr靶研究脈沖電壓對復合HIPIMS 過程中的靶電壓、靶電流、電子密度(Ne)、電子溫度(Te)、等離子體電勢(Vs)以及基體電流等微觀參數的影響。
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