金屬導電細絲類有機存儲器的動態阻變過程

高 雙 宋 成 潘 峰

清華大學材料科學與工程系先進材料教育部重點實驗室

　　摘要：作為新一代非易失存儲器的有力競爭者，阻變存儲器受到了廣泛關注，因而探尋阻變機理具有重大的理論與現實意義。金屬導電細絲類阻變存儲器的動態阻變過程在基于固體電解質和氧化物的器件中已經被闡明，然而其在基于有機物的器件中仍不清楚。

　　本文探討了具有雙極性轉變現象的Cu/P3HT:PCBM/ITO 結構中的動態阻變過程。在光照下，我們在高阻態觀察到了開路電壓(-0.15 V)。但是，由于Cu 導電細絲在低阻態形成而使得開路電壓消失。綜合不同組態下I-V 曲線的對稱性以及相應的能帶結構，認為Cu 導電細絲從Cu/P3HT:PCBM 界面開始生長，終止于P3HT:PCBM/ITO 界面，并且在P3HT:PCBM/ITO 界面斷開。本工作推進了有機存儲器的阻變機理研究。

　　關鍵詞：金屬導電細絲 動態阻變過程 有機物存儲器 P3HT:PCBM