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無柵網離子源的工作原理
無柵網離子源的工作原理類似于磁控濺射,陽極偏壓在磁力線束縛電子的區域產生高密度等離子體(high ne ionization region),離子的飛行軌跡不受磁場的影響,在偏壓VDC作用下加速向陰極飛行,在開口處形成能量為VDC離子束,
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電子回旋共振(ECR)離子源的工作原理
ECR離子源微波能量通過微波輸入窗(由陶瓷或石英制成) 經波導或天線耦合進入放電室, 在窗上表面的永磁系統產生的高強磁場作用下, 放電室內的氣體分子的外層電子做回旋運動。
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RF-CCP(電容耦合) 和RF-ICP(感應耦合)離子源的結構原理
電容耦合方式是由接地的放電室(由復合系數很小的材料如石英做成)和引入的驅動電極作為耦合元件,射頻ICP源的發射天線繞在電絕緣的石英放電室外邊,當通過匹配網絡將射頻功率加到線圈上時,線圈中就有射頻電流通過,于是
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Kaufman低能寬束離子源的結構原理
Kaufman離子源是由陰極(Cathode)、陽極(Anode)、柵極(Grids)、放電室圓筒構成氣體放電室(Discharge Chamber),柵極構成離子光學系統。
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紅外低輻射膜的典型膜層結構
低輻射薄膜的中間金屬層起著反射紅外線的重要作用,一般選用銀,因它在對紅外光具有較高反射率的同時,對可見光還具有較高的透射率,按銀膜的數量可分為單銀膜 、雙銀膜和多銀膜,每層銀膜厚度一般在10~18nm之間。
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射頻識別系統在凍干工藝的應用
按照凍干工藝的需要,在射頻卡中寫入物料的種類、形狀、分切方式、凍干層厚度、面積、加熱方式、擱板層數等相關參數,再把射頻卡貼在需要凍干的物料上。當貼有射頻卡的物料進入安裝在凍干機上的讀寫器的工作范圍,讀寫
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寬禁帶半導體ZnO薄膜的制備工藝
ZnO薄膜的制備方法有多種,大致分為物理法和化學法,可以滿足不同的需求,由于化學穩定性好,良好的機電耦合性,工藝簡單,這使得ZnO 薄膜在近年來受到越來越多的重視,成為化合物半導體領域中的一個研究熱點,基于ZnO的器
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熱處理和摻雜對TiO2薄膜折射率的影響
隨著熱處理溫度的升高,薄膜折射率也逐漸增大。850℃熱處理后的氧化鈦薄膜折射率最高為2.34。適量摻雜CeO2會提高薄膜的折射率,過量摻雜CeO2反而會降低折射率。
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有機玻璃蒸發鍍鋁的實驗結果及鋁膜分析
增加鉻過渡層的樣品, 鋁膜結合的非常牢固, 附著力得到很大的提高。 采用電子束蒸發技術, 在使用合適的工藝參數下, 可以在有機玻璃表面制備附著力好、耐腐蝕的高反射鋁膜。
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