真空應(yīng)用
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淺談冷坩堝感應(yīng)熔煉設(shè)備發(fā)展的幾點(diǎn)方向
結(jié)合國內(nèi)外冷坩堝熔煉設(shè)備的研究成果,提出了冷坩堝熔煉設(shè)備發(fā)展的方向。本文對冷坩堝熔煉設(shè)備發(fā)展向做簡要論述。
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三種聚合物薄膜氦滲透率的測試
本文利用氦質(zhì)譜檢漏儀測量聚合物薄膜對He的整體漏率,根據(jù)菲克定律計(jì)算出聚合物薄膜對He的滲透率,并比較分析三種常用聚合物(PET,PDMS,PI)對He滲透率的大小。
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表面涂層抗疲勞制造技術(shù)
利用涂層抗疲勞制造技術(shù)對構(gòu)件表面進(jìn)行改性,提高構(gòu)件壽命,構(gòu)筑抗疲勞表面變質(zhì)層,從而可提高零件的極端服役性能。
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北美工業(yè)爐展概況評述
介紹沈陽真空技術(shù)研究所參加北美工業(yè)爐展的情況,認(rèn)為北美工業(yè)爐展是全球最核心的熱處理技術(shù)與設(shè)備展之一,體現(xiàn)了工業(yè)加熱領(lǐng)域的最新技術(shù)、設(shè)備和工藝。對于提高我國的熱處理技術(shù)與設(shè)備水平有很大的借鑒和參考價值。
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一種應(yīng)用于碳納米管制備的交流脈沖電源研制
研制了一臺零電壓軟開關(guān)中頻交流脈沖放電電源,應(yīng)用于碳納米管的制備,以乙炔作為碳源,在反應(yīng)容器中通入氦氣,在兩電極之間激發(fā)出電弧為碳納米管生長提供環(huán)境。
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YSZ/YSZ-NiO電解質(zhì)薄膜在低溫條件下的電學(xué)特性研究
采用脈沖激光沉積(PLD)法,在多孔支撐的NiO-YSZ 陽極基底上制備YSZ電解質(zhì)薄膜。利用XRD、SEM和射頻阻抗/ 材料分析儀對多層膜的物相結(jié)構(gòu)、表面形貌以及電學(xué)特性等進(jìn)行表征。
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La0.6Sr0.4MnO3/Fe-Ni復(fù)合吸波材料制備與性能研究
本文綜合以上考慮制備了鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料La0.6Sr0.4MnO3 和FeNi合金,通過真空球磨將倆種吸波材料按不同比例復(fù)合, 并進(jìn)行適當(dāng)退火處理, 大幅度提升了La0.6Sr0.4MnO3吸波性能。
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Cu/TiO2/ITO薄膜元件阻變性能與機(jī)理研究
本文對TiO2 薄膜阻變性能與機(jī)理進(jìn)行研究,分析得出元件阻變機(jī)理與導(dǎo)電細(xì)絲理論和普爾-法蘭克效應(yīng)有關(guān),為解決TiO2 阻變機(jī)理的不明朗問題提供了參考。
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RH精煉過程循環(huán)流場模擬研究
本文是通過模擬以某廠180tRH 精煉設(shè)備為研究對象。討論RH 循環(huán)流量及循環(huán)流場的影響,通過數(shù)值模擬方法分析影響RH 流動情況與操作參數(shù)的關(guān)系,為更好的提高效率優(yōu)化工藝參數(shù)起到重要作用。
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宇航材料所需的高級冶煉設(shè)備
介紹了用來冶煉宇航材料的真空感應(yīng)熔煉爐、真空自耗電弧爐和電渣重熔爐的工作原理、設(shè)備組成、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。最后,給出了應(yīng)用范圍。
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真空感應(yīng)熔煉爐(VIM)的工作原理與結(jié)構(gòu)簡圖
真空感應(yīng)熔煉爐是真空冶金領(lǐng)域中應(yīng)用最廣的設(shè)備之一。本文講述了真空感應(yīng)熔煉爐(VIM)的工作原理與結(jié)構(gòu)簡圖。
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高壓真空斷路器故障分析及處理措施
高壓真空斷路器是關(guān)系到電力系統(tǒng)能否得到有效控制的關(guān)鍵性電器之一,本文跟大家分享高壓真空斷路器現(xiàn)場故障的處理方法,希望能為廣大網(wǎng)友提供參考。
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微型化原子磁力儀靈敏度上限的原子氣室尺寸依賴性分析
本文通過分析原子磁力儀的工作原理,對堿金屬原子在原子氣室中的自旋弛豫過程進(jìn)行了深入分析,并通過理論計(jì)算探究了氣室尺寸對原子磁力儀靈敏度上限的影響規(guī)律,為微型化原子磁力儀的優(yōu)化設(shè)計(jì)提供理論依據(jù)。
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晶界“背脊”形貌對熱障涂層熱沖擊壽命的影響
本文的主要研究工作是采用化學(xué)氣相沉積和電子束物理氣相沉積技術(shù)在鎳基單晶高溫合金上分別制備鉑改性鋁化物涂層和陶瓷熱障涂層,開展粘結(jié)層表面晶界“背脊”形貌對熱障涂層體系熱沖擊壽命的影響行為和可能的TBCs 剝
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜