久草精品视频在线播放,欧美日韩精品,国产中文字幕视频

真空應用

真空技術網>真空應用>

推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

微波真空干燥設備的優點

常規的真空干燥設備都采用蒸汽進行加熱，需要從里到外進行加熱，加熱速度慢需要耗費大量的煤，而微波真空干燥設備采用的是電磁波加熱，無需傳熱媒介，直接加熱到物體內部，升溫速度快。
真空在加速器及受控核聚變中的應用

加速器是對粒子加速使被加速的粒子獲得高能源的裝置，在加速器中能夠產生各種能量的電子、質子、氘、a粒子及其它重離子。利用這些粒子與物質的相互作用，還可以產生各種帶電和不帶電的次級
真空在航天工業中的應用

真空科學與航天技術密切相關的主要環節來至于空間的環境模擬，因為運載火箭、人造衛星、載人飛船、空間站、宇宙探測器以及航天飛機等各種空間飛行器，在空間飛行的過程中、都是在宇宙的自然
真空在食品包裝及冷凍干燥工業中的應用

冷凍干燥的工藝過程是先將被干物料凍結，然后抽真空，使物料中已凍結成冰的水份不經過液態而直接升華去掉。
真空在鍍膜工業中的應用

真空鍍膜所采用的方法主要有蒸發鍍、濺射鍍、離子鍍、束流沉積鍍以及分子束外延等。此外還有化學氣相沉積法。
直空在冶金工業中的應用

真空環境中物質與殘余氣體分子間的化學作用十分微弱，因此非常適宜對黑色金屬、稀有金屬，超純金屬及其合金、半導體材料的熔煉和精制。在真空環境中可通過降低單一氣體分子的分壓強、達到鋼液脫氣精煉、真空碳脫氧的
真空在輸運、吸引、起吊及真空造型等設備中的應用

真空輸運、吸引及起吊設備、都是利用真空與大氣間存在壓力差所產生的力來做功的。由于這種機械能存在著壓強處處均勻的特點，因此可絕對密接地施加到任何形狀的平面上。
等離子體輔助ITO薄膜低溫生長

等離子輔助可以有效控制ITO薄膜的結晶程度和晶粒尺寸以及晶界結構,在優化條件下,在PET基體上制備出電阻率為1.1×10-3Ω·cm的ITO薄膜.
V2O5復合薄膜材料的制備

V2O5復合氣凝膠薄膜材料的制備過程,主要是以v205粉末、苯甲醇(BA)、異丙醇(IP)和SWENTs為原料,采用溶膠-凝膠法、提拉法鍍膜和溶劑替換的方法來制備.
復雜斷面鋁擠壓模具真空淬火處理

真空淬火模具硬度十分均勻，通過回火后硬度可嚴格控制在HRC49—52范圍內，模具的各個斷面強度均勻而且有所提高，所以模具壽命有明顯提高。
碳酸鈣業用干燥設備發展現狀與特點

組合干燥設備應該包括：提供熱源設備，一、二級干燥設備，尾氣收“塵”設備等，希望設備制造、研究單位在熱效率高、能耗低、配置簡單、控制方便等方面做文章，在組合干燥設備方面做文章，服務別人，發展自己。
真空熱水鍋爐的工作原理

真空熱水鍋爐的結構是由燃燒室(火爐)、水管、負壓蒸汽室、熱交換器、熱媒介水等組成的。機體內部為真空狀態，與外部空氣隔絕，形成密閉狀態。
電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。
真空滲鋅與熱鍍鋅相比的優點

真空滲鋅是一種清潔、環保的鋼鐵防腐新工藝，是一種在鐵素體狀態下的化學熱處理。本文講述了真空滲鋅與熱鍍鋅相比較所具有的優點。
真空輔助樹脂灌注樹脂制備

VARI(VacuumAssistedResinlnfusion，簡稱真空輔助成型)技術是一種新型的復合材料低成本、高性能成型技術，近年來在航空領域受到廣泛的重視。
靶電流對電弧離子鍍TiAlN膜層組織及成分的影響

在不同基材上沉積的膜層表面形貌存在差異;兩種工藝在不同的基材上沉積的膜層中N、Al和Ti元素呈梯度分布,可明顯的觀察到界面處存在這三種元素的互擴散,使膜層與基體間形成冶金結合。
電弧離子鍍TiAlN涂層的熱疲勞及抗氧化性能

采用獨立的高純鈦、鋁靶,在TC4鈦合金基材表面以電弧離子鍍工藝沉積制備了TiAIN涂層.結果表明,TRAIN涂層表現出很好的熱疲勞抗力,顯著改善了鈦合金的高溫抗氧化性。
TiC薄膜的性能研究

采用磁過濾直流電弧離子鍍法在不同的CH4分壓下制備了一系列的TiC薄膜,利用XRD和EDX表征了薄膜的相組成和微結構,用MCMS-1摩擦磨損測試儀,研究了不同CH4分壓對薄膜摩擦性能的影響,采用DURAMIN-10型丹麥全自動顯微硬度
生長參數對Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影響

通過能量色散譜儀喬(EDS)和掃描電子顯微鏡(SEM)對合金薄膜的元素深度分布和表面形貌進行了表征,分析研究了外延層的生長溫度、生長時間對Si1-xGex:C合金薄膜性質的影響.
非平衡磁控濺射沉積TiN/Ti-O復合薄膜機械性能研究

利用非平衡磁控濺射設備,采用四種不同的TiN到Ti-O的過渡方式,在Si(100)和Ti6A14V基體上制備了TiN/Ti-O薄膜。