推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。
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熱處理對水霧化Fe74Cr2Mo2Sn2P10C2Si4B4非晶磁粉芯性能的影響
采用水霧化Fe74Cr2Mo2Sn2P10C2Si4B4非晶磁粉制備出了高頻特性較好的磁粉芯。研究了去應力退火和磁場退火對磁粉芯磁性能的影響。
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鈾表面非平衡磁控濺射離子鍍Ti基薄膜的組織結構與腐蝕性能
金屬鈾的化學性質十分活潑,極易發生氧化腐蝕。本文采用磁過濾多弧離子鍍在金屬鈾表面制備Ti過渡層,然后采用非平衡磁控濺射離子鍍技術制備了Ti、TiN單層膜及Ti/TiN多層薄膜,以期改善基體的抗腐蝕性能。
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溶膠凝膠法制備Cu摻雜ZnO納米薄膜及其表征
采用溶膠-凝膠法制備了不同Cu摻雜濃度的ZnO薄膜,并通過X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、紫外可見分光光度計和伏安特性測試等研究了Cu摻雜量對薄膜微觀結構、表面形貌及光電特性的影響。
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脈沖激光沉積法制備立方焦綠石結構的Bi1.5ZnNb1.5O7薄膜
采用固相反應法合成具有焦綠石立方結構的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脈沖激光沉積法在Pt/SiO2/Si(100)基片制備立方BZN薄膜。研究了隨襯底溫度的變化,薄膜的結晶性能,微觀形貌以及介電性能的差異。
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基于溶膠凝膠法的二氧化錫復合薄膜的制備及表征
以金屬無機鹽SnCl2.2H2O、CuCl2.2H2O和無水乙醇為原料,用溶膠凝膠法制備了SnO2和CuO摻雜的CuO-SnO2薄膜,并用X射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡和電化學工作站對樣品進行了表征。
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基于差異進化算法的橢偏測量數據反演
為解決橢偏法測量薄膜厚度和折射率實驗數據處理較為復雜的問題,采用一種新的基于群體智能的優化算法—差異進化算法處理實驗數據;以單層吸收薄膜的測量為例,利用該算法進行數據處理,
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SiO2/聚酰亞胺/SiO2復合薄膜絕緣性能及基于聚酰亞胺復合薄膜的后柵型場致發射性能的研
使用射頻磁控濺射和化學溶液法制備了SiO2/聚酰亞胺(PI)/SiO2絕緣膜。分別使用X射線衍射、掃描電鏡對薄膜結構和薄膜表面形貌進行了表征
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p型微晶硅膜的研究及其在異質結太陽電池中的應用
首先采用射頻等離子體增強化學氣相沉積技術制備了電導率為0.13 S/cm、晶化率為50%的p型微晶硅,然后制備了μc-Si∶H(p)/c-Si(n)異質結太陽電池。
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In0.14Ga0.86As/GaAs(4×3)表面的RHEED及STM分析
以在UHV/MBE-STM聯合系統上生長的19ML的InGaAs/GaAs樣品為研究對象,先在GaAs(001)襯底上外延生長0.37μm的GaAs緩沖層,再外延生長19ML的InGaAs,通過樣品生長速率大致確定其組分為In0.14Ga0.86As
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H2O+O2氣氛下電子束蒸鍍制備MgO介質保護膜特性研究
采用電子束蒸鍍法在H2O+ O2氣氛下制備了MgO介質保護膜,通過掃描電鏡、X射線衍射(XRD)等方法分析了MgO薄膜的表面、截面形貌與晶體結構,研究了不同H2O流量下得到的MgO薄膜對等離子屏放電特性的影響。
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真空碳熱還原法煉鋁的研究進展
綜述了目前氧化鋁碳熱還原法及碳熱還原- 鹵化法煉鋁的研究進展, 重點總結了上述煉鋁法的機理及研究現狀,討論了金屬鋁的制備方法及其影響因素, 并指出了制約上述各煉鋁法金屬鋁直收率提高的影響因素。
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