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高量子效率和波長(zhǎng)熱穩(wěn)定性308nm GaN/AlN量子點(diǎn)紫外LED的制備

本文通過(guò)金屬有機(jī)物氣相外延方法，在(0001)面藍(lán)寶石襯底上成功地生長(zhǎng)了以GaN/AlN 量子點(diǎn)代替AlGaN量子阱作為有源區(qū)的紫外LED 外延片，并首次制備了電致發(fā)光波長(zhǎng)為308 nm 的GaN/AlN 量子點(diǎn)紫外LED 器件。

超長(zhǎng)氧化釩納米線的制備與表征

五氧化二釩是一種被廣泛研究的高比容量鋰離子電池陰極材料。

Ni，Cu納米線陣列以及Ni/Cu超晶格納米線陣列的光學(xué)

在本文中，對(duì)這種納米線陣列結(jié)構(gòu)進(jìn)行了光學(xué)實(shí)驗(yàn)測(cè)量研究。

中空金屬納米球等離激元以及表面等離激元模式研究

在本文中，理論研究了中空金納米小球的電子子能帶結(jié)構(gòu)以及等離激元和表面等離激元模式。

金屬-半導(dǎo)體納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能量轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)研究

金納米顆粒熒光光譜特性研究

在本文中，研究了兩種不同大小的金納米顆粒的熒光激發(fā)光譜和熒光發(fā)射光譜特性。

石墨表面卟啉分子的電致發(fā)光特性研究

在本文中，利用石墨(HOPG)作為襯底，對(duì)HOPG 表面多層TPP 卟啉分子膜的STM 誘導(dǎo)發(fā)光特性進(jìn)行了深入的研究。

真空電子束表面造型技術(shù)的實(shí)現(xiàn)方法及試驗(yàn)研究

本文提出了一種基于圖像掃描的真空電子束表面加工方法。

鎳緩沖層對(duì)碳納米管薄膜強(qiáng)流脈沖發(fā)射特性的影響

研究了鎳緩沖層對(duì)碳納米管薄膜在強(qiáng)流脈沖發(fā)射模式下的發(fā)射電流和發(fā)射穩(wěn)定性的影響。

基于α-Si TFT 的AM-FED 器件的研究與仿真分析

研發(fā)人員設(shè)計(jì)了三極結(jié)構(gòu)的FED 顯示器件，在陰陽(yáng)極板之間加入了柵極來(lái)收集電子。但是三極結(jié)構(gòu)并不能徹底解決驅(qū)動(dòng)電壓高,以及顯示均勻性差的問(wèn)題。

場(chǎng)致發(fā)射顯示器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)研究

本文主要介紹場(chǎng)致發(fā)射顯示器的結(jié)構(gòu)原理發(fā)展及應(yīng)用和FED 驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)的研究。

冷壁法制備大發(fā)射電流密度復(fù)合陰極及其性能研究

碳納米管(CNT)又是場(chǎng)致發(fā)射陰極的首選材料，其在電子、機(jī)械和化學(xué)方面具有獨(dú)特特性，有較低的逸出功，極高的縱橫比，理論上可實(shí)現(xiàn)106 A/cm2 的場(chǎng)致發(fā)射電流密度。

平行排列的直立少層石墨烯的可控制備研究

直立少層石墨烯由于具有原子級(jí)尖銳的邊緣，因而場(chǎng)發(fā)射增強(qiáng)因子較大，并具有優(yōu)異的電子傳輸特性和二維的導(dǎo)熱區(qū)域，使其在場(chǎng)發(fā)射器件上擁有很好的應(yīng)用潛力。

不同金屬襯底制備碳納米管的生長(zhǎng)差異及其場(chǎng)發(fā)射特性

基于碳納米管冷陰極的平面光源、X 射線管和微波管等，具有一定的工業(yè)應(yīng)用前景。

基于郎穆爾探針的低溫低壓等離子體診斷

朗繆爾探針因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于操作、可寬范圍測(cè)定等離子體參數(shù)等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為一種重要的等離子體診斷方法。

造渣氧化精煉的原理

造渣精煉工藝是在冶金級(jí)硅中加入熔點(diǎn)高于冶金級(jí)硅的精煉渣, 并在硅和渣的熔點(diǎn)溫度之間進(jìn)行氧化精煉。

蒸發(fā)制備鋅鎂合金鍍層中鋅鎂層的擴(kuò)散研究

本文在鍍鋅鋼板表面采用真空熱蒸發(fā)鍍鎂, 再由快速退火工藝形成鋅鎂合金鍍層。通過(guò)X 射線衍射、二次離子質(zhì)譜和掃描電鏡分析了在退火過(guò)程中鋅、鎂層的擴(kuò)散過(guò)程, 并通過(guò)鹽霧試驗(yàn)和電化學(xué)測(cè)試研究擴(kuò)散過(guò)程對(duì)鋅鎂合金鍍層

陽(yáng)極氧化電壓對(duì)TiO2納米管陣列生長(zhǎng)及場(chǎng)發(fā)射性能的影響

利用陽(yáng)極氧化法在純鈦表面制備了規(guī)則有序的TiO2 納米管陣列, 應(yīng)用場(chǎng)致發(fā)射掃描電子顯微鏡、X 射線光電子能譜對(duì)納米管陣列表面形貌、斷面結(jié)構(gòu)及元素組成進(jìn)行表征, 并對(duì)所得樣片的場(chǎng)發(fā)射性能進(jìn)行測(cè)試.

利用頻域求解器模擬計(jì)算諧振腔的諧振特性

以“通過(guò)法測(cè)品質(zhì)因數(shù)”的冷測(cè)實(shí)驗(yàn)為理論基礎(chǔ), 通過(guò)理論分析、數(shù)值模擬和冷測(cè)實(shí)驗(yàn)證明了利用三維電磁仿真軟件的頻域求解器也能模擬獲得涂覆衰減材料的諧振腔本征模的諧振特性。

基于行內(nèi)MPD極值的自適應(yīng)灰度編碼PDP畫質(zhì)提升方法

為改善動(dòng)態(tài)偽輪廓( DFC) 及其引起的灰度級(jí)損失, 提出一種基于行內(nèi)運(yùn)動(dòng)圖像干擾(MPD) 極值的自適應(yīng)子場(chǎng)編碼方法。