220GHz耦合腔擴展互作用速調管研究
設計和研究了一種太赫茲波段耦合腔擴展互作用速調管,應用CST軟件建模仿真得到其幾何參數,進行冷腔仿真,得到了色散曲線和工作點,并且對其進行優化;再用PIC軟件建模對其進行熱仿真,在工作頻率222.967GHz和工作電壓12620V下得到管子的輸出峰值功率為16W;3dB帶寬為230MHz,效率為1.5%,帶內最大增益為27.2dB。
太赫茲(THz)技術是涉及多個學科的交叉前沿領域,在通信、電子對抗、電磁武器、天文學、醫學成像、無損檢測、安全檢測等領域有非常重要的應用價值。太赫茲信號源是太赫茲技術應用的關鍵,因此對其信號源的研究十分重要。
擴展互作用速調管(EIK)是一種太赫茲波段輻射源器件,最早是上世紀60年代由美國斯坦福大學喬多羅及威瑟爾-貝格提出的。耦合腔EIK結合速調管較高增益、高效率以及行波管較寬帶寬特點,其結構緊湊、體積小、重量輕、工作電壓低、功率較高。近年來,隨著微細加工技術、陰極技術和電子光學等各方面技術的發展,已經取得了一定的成果,本文研究了一種耦合腔EIK,設計和模擬了0.22THz的EIK輻射源。
1、EIK工作原理
耦合器EIK原理和傳統的速調管基本相同,主要工作過程是電子注的產生、加速、速度調制、群聚、換能、收集。主要區別在于,傳統速調管中,電子注與高頻場的互作用以及能量交換只發生在諧振腔間隙中。而由n個諧振腔構成的EIK,形成了n 個間隙,由于腔與腔有耦合槽連接,相鄰兩腔的電磁場是耦合的,電子與這樣電場的互作用發生在m 個間隙上,這相當于多腔速調管中每個腔由多個相互耦合的小腔構成,互作用就分布在這些小腔的間隙上連續進行。
2、耦合腔EIK冷腔仿真和粒子仿真
2.1、冷腔仿真
耦合腔EIK的諧振腔結構如圖1,設計其工作頻率為220GHz,選取該管的工作模式是2π的高頻駐波場TM110模。利用CST軟件對其參數優化,經過適當比較,選擇參數結構如表1所示。
表1 耦合腔EIK的結構參數(單位:mm)
根據管子設計尺寸,利用CST軟件對兩個周期結構的諧振腔進行冷腔仿真,得到出場分布屬于2π模的頻率為226.043GHz,如圖2所示。在此結構上確定速調管的工作電壓和工作頻率以及腔體形變(H 或W 增加或者減小0.04mm)下的色散曲線,如圖3所示;隨著H 或者W 增加時,頻率減小,H或W 減小時頻率增大,且W 的微小變化對頻率的影響比較明顯。根據擴展互作用速調管設計參數,利用公式(1)和式(2)得出工作電壓V 約為12600V。
仿真表1結構參數下以及腔體形變(H 或者W增加或者減小0.04mm)下的偶合阻抗如圖4所示;由圖可得W 的微小增加對耦合阻抗的變化影響很大,結合色散曲線圖,說明在管子實際加工中對寬度精度要求更加苛刻。
圖1 諧振腔結構 圖2 226.043GHz電場分布
2.2、粒子模擬
設耦合腔EIK有n個腔,采用空間電荷波理論分析,經計算得出n從0到6腔,電子注的轉換率約為0;6腔到14腔轉換率逐漸增大,14腔得到最大,14腔以后的轉換率基本不變,由此可建模整管結構如圖5所示;根據冷腔仿真得到的結構參數,用PIC軟件在3維直角坐標下建模,對整管進行粒子模擬仿真。選擇工作電壓12620V,輸入波頻率222.697GHz,電流密度為65A/cm2,仿真不同電子束半徑r下的瞬時功率如表2所示;得出電子束半徑r為0.18mm輸出幾乎為0,0.18mm到0.22mm一直增大,其中從0.195mm到0.2mm急劇增大,0.2mm到0.22mm,增幅平緩,0.22mm 后急劇減小。考慮到電子的流通率,當電子束半徑較大時,電子會被通道壁截獲,綜合實際情況考慮最終選擇電子束半徑r=0.2mm。
圖3 色散曲線
圖4 耦合阻抗
圖5 EIK結構
表2 仿真不同電子束半徑下的瞬時功率
圖6是電子注的調制圖,圖7是電子動量隨z軸的變化關系圖,可以看出電子注在管內高頻場得到了調制,在速調區和第一漂移段,電子注的速度調制較弱,在慢波段和第二段漂移段其調制較強;同時在輸出區可以看出電子動量明顯減小,說明電子注在輸出區把能量交給了高頻場。圖8是輸出波瞬時功率圖,約在12ns輸出穩定,得到16W 的峰值功率,可以看出輸出瞬時功率很平滑,說明沒有出現震蕩現象。圖9是電場的頻譜圖,中心頻率為222.69GHz,圖10是輸入頻率與輸入功率輸出功率關系圖;3dB帶寬約230MHz,頻帶內最大增益為27.2dB,如圖11所示。
3、結論
本文設計了一種220GHz耦合腔EIK,并對其進行了冷腔仿真和粒子模擬仿真,在12620V電壓和65A/cm2 電流密度下,工作頻率222.697GHz下得到輸出峰值功率約為16W;3dB帶寬為0.23GHz,效率為1.5%,帶內最大增益為27.2dB。仿真結果表明各參數尺寸選擇恰當,便可實現此結構的耦合腔EIK工作于太赫茲波段,為下一階段的研究奠定基礎。